מספר מוצר של יצרן:
IPU09N03LA G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU09N03LA G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
מלאי:
12805673
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU09N03LA G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1642 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3-21
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU09N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPU09N03LAGIN
IPU09N03LAGIN-NDR
SP000017511
IPU09N03LAIN-DG
IPU09N03LA
IPU09N03LAGXTIN-DG
IPU09N03LAGXTIN
IPU09N03LAGX
IPU09N03LAIN
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6616TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
IRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
IRFH5106TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
